陈良惠、中国科学院院士祝宁华、中国工程院院士罗毅、中国科学院半导体所所长谭平恒分别通过线上方式表示祝贺，苏州市科技局副局长张婷秀，

　　全光网络是大容量光通信的基础，作为实现全光网络的关键部件，掺铒光纤放大器（EDFA）可以进行光信号的直接放大，是光通信领域的里程碑式成果，而单模980nm激光芯片和泵浦模块则是EDFA的核心关键器件与心脏，该成果的规模量产解决了我国光通信核心激光芯片及器件长期依赖进口的问题，对于国家通信及国防安全具有重要意义。

　　作为园区重点培育的创新型半导体企业，度亘激光自成立以来，始终致力于高端激光芯片的研发制造，核心产品性能指标国际领先。去年十月，度亘总部研发中心在园区落成启用，今天，公司又顺利迎来创新产品的隆重发布，充分体现了度亘激光服务科技自立自强的责任担当，也将为园区半导体产业创新发展注入强劲动力。

　　度亘激光成立5年来，一直致力于高端激光芯片的研发制造，瞄准通信级高功率单模980nm激光芯片和泵浦模块，攻克了多项核心技术，如高功率单模输出和高电光转换效率，超高功率密度导致的灾变性光学腔面损伤，极高电流密度和极高功率密度工作条件下的极高可靠性等。突破了芯片和模块研制过程中IDM体系的诸多关键技术和工艺，实现了从芯片设计、材料外延、芯片到模块的全制程完全自主可控，成功开发了高功率、高效率和高可靠性单模半导体激光芯片与模块的系列产品，并通过了Telcordia GR-468-CORE通信标准验证。

　　在工业高功率芯片和器件方面公司也取得了巨大进展，产品广泛应用于工业加工、智能感知、光通讯、医疗美容和科学研究领域，公司荣获中国潜在独角兽、江苏省企业技术中心、苏州市高端半导体激光芯片工程技术研究中心、苏州市独角兽培育企业等数十项荣誉。

　　作为重点打造的光电子产业创新集群，园区目前引进和孵化相关企业近300家，2021年实现产值421亿元。

　　❑核心技术方面：经过多年培育，在GaN衬底外延材料、半导体激光切割设备等多个领域已形成先发优势，多个细分领域填补了国内空白，进一步完善了我国光电领域关键核心技术的创新链。光电材料方面，MO源、光刻胶等一批关键材料打破国外垄断，从源头上解决“卡脖子”难题；光电器件方面，400G光模块技术国际领先，市场占有率全球第一；光电设备方面，全球首发大型紫外3D直写光刻设备等高端设备，广泛应用在半导体领域，实现国产化替代。

　　❑创新载体方面：先后引进了中科院苏州纳米所、中科苏州微电子产业技术研究院、长三角中科先进光电技术研究所等重大创新载体，围绕光电材料和器件持续开展关键技术攻关，为产业发展提供源头技术供给。国家第三代半导体技术创新中心苏州平台围绕第三代半导体材料在半导体照明、新型显示领域的“双碳”目标方向，目前在氮化镓单晶、Micro-LED显示等技术领域取得重要突破。